В компании Samsung подтвердили информацию об изготовлении чипа на 14-нм транзисторах FinFET. Отличие FinFET заключается в том, что он получил выступающий затвор, в то время как большинство транзисторов плоские. Такой дизайн значительно сокращает токи утечки, которые приводят к снижению надежности и увеличению энергопотребления особенно при масштабах менее 40 нм.
Где именно будут использоваться данные чипы пока не известно, поскольку переход от прототипа к массовому производству и коммерческому применению потребует времени.
Поделиться
