Компания Samsung представила первый в мире промышленный образец банка оперативной памяти стандарта DDR4.
Модуль имеет объём 16 гигабайт (представлен вариант и на 8 гигабайт), микросхемы созданы по 30-нанометровому техпроцессу. Скорость обмена информацией вдвое превышает образцы скоростной современной памяти стандарта DDR3, при этом напряжение, подаваемое на банк DDR4 меньше – 1,2 вольта вместо 1,35.
Поделиться
