Samsung начинает продажи графической памяти GDDR4

Компания Samsung объявила о начале продаж нового типа графической памяти GDDR4 (Graphics Double Data Rate 4th Generation). Чип с объемом памяти 512 Мб изготавливается по 80-нм технологии и имеет полосу пропускания 9,6 Гб/с.

Инженеры компании при создании GDDR4 использовали ряд новых технологий, включая технологии DBI и Multi-Preamble, позволивших значительно сократить задержки при передаче данных между графическим процессором и другими элементами ПК.

Напомним, ранее Samsung заявлял о создании 512 Мб чипа нового поколения, имеющего полосу пропускания в 12,8 Гб/с, что на 30% выше аналогичного показателя памяти GDDR4 256 Мб.

Главный конкурент Samsung в сфере графической памяти — Hynix — в декабре прошлого года объявил о создании чипа GDDR4 с полосой пропускания 11,6 Гб/с. В планах Hynix на вторую половину 2006 года — также начать продажи новой памяти, но уже с полосой пропускания 14,4 Гб/с.