Samsung начал массовое производство 1-гигабайтного модуля памяти DDR-II

Samsung Electronics сообщил сегодня, 24 марта, о начале массового выпуска первого в промышленности 1-гигабайтного модуля DDR-II DIMM-памяти, построенного на основе 512-мегабитных компонентов DDR-II. По мнению руководства компании, DDR-II является жизнеспособной технологией и будет играть важную роль в появлении возможносит развития нового поколения многофункциональных, высокоскоростных игровых ПК, серверов и сетевых станций.

DDR-II позволяет удвоить внешнюю пропускную способность стандартного DDR-решения для той же самой внутренней частоты. Устройство с напряжением 1,8 В обладает возможностью высокоскоростной передачи данных 533 Мб/сек, которая может быть увеличена до 667 Мб/сек для локальных сетей и специальных системных сред.

Samsung впервые поставила технические образцы модулей 512 Мб DDR-II крупнейшим разработчикам наборов микросхем в мае прошлого года.

Источник: по материалам сайта DigiTimes.