Выбирай : Покупай : Используй

Вход для партнеров

Вход для продавцов

0

Poco F8 выходит на глобальный рынок 26 ноября

Серия Poco F8 дебютирует на глобальном рынке 26 ноября

Линейка смартфонов Poco F8, в которую, как ожидается, войдут модели F8, F8 Pro и F8 Ultra, получила официальную дату глобального дебюта.

Компания Poco объявила об этом через публикацию в социальных сетях, подтвердив, что серия F8 будет представлена 26 ноября на глобальном мероприятии в Бали, Индонезия.

На данный момент компания не раскрыла технические характеристики будущих устройств, однако подтвердила партнёрство с Bose в рамках инициативы «Mobile Acoustics». Это, вероятно, означает, что серия Poco F8 получит аудиосистему, аналогичную той, что установлена в Redmi K90 Pro Max.

Redmi K90 Pro Max оснащён 2.1-канальной аудиосистемой с отдельным вуфером и настройкой звука от Bose. Ожидается, что Poco F8 Pro станет ребрендинговой версией Redmi K90 для глобальных рынков, а Poco F8 Ultra — ребрендингом Redmi K90 Pro Max.

 

Источник


Билл Гейтс делает ставку на 21 стартап для решения энергетического кризиса будущего Инвестиционная платформа Билла Гейтса Breakthrough Energy объявила о шестом выпуске программы Fellows, в который вошли 21 стартап. Эксперты утверждают, что рост потребления энергии дата-центрами — лишь начало, а электрификация экономики приведет к трехкратному скачку спроса. Инвестиции направлены на прорывные технологии, включая термоядерный синтез, новые методы транспортировки водорода и адаптацию к изменению климата.
DapuStor ускоряет SSD в семь раз за счёт резервирования части памяти QLC Компания DapuStor представила новый твердотельный накопитель, который использует часть QLC-памяти в постоянном режиме pSLC. Это решение позволяет ускорить случайную запись более чем в семь раз, пожертвовав от 6% до 20% общей ёмкости устройства.
CXMT запустит массовое производство DRAM с шагом 11,95 нм Китайский производитель памяти CXMT приступил к массовому выпуску чипов DRAM пятого поколения. Новый технологический процесс G5 достигает шага активной области 11,95 нм благодаря литографии с четырехкратным паттернованием и оптимизации структуры транзисторов.