Выбирай : Покупай : Используй

Вход для партнеров

Вход для продавцов

CNews  |  Аналитика  |  Конференции |  Маркет
Главная Новости Motorola Edge 70 представят в Индии 15 декабря
0

Motorola Edge 70 представят в Индии 15 декабря

Motorola Edge 70 дебютирует в Индии 15 декабря

На прошлой неделе Motorola начала анонсировать запуск Edge 70 в Индии, а теперь компания официально подтвердила дату мероприятия.

Смартфон Motorola Edge 70 будет представлен в Индии 15 декабря и поступит в продажу в тот же день через Flipkart, онлайн-магазин Motorola и другие розничные сети.

Новинка получит систему на кристалле Snapdragon 7 Gen 4, двойную основную камеру с двумя 50-мегапиксельными модулями и 50-мегапиксельную фронтальную камеру. Толщина устройства составит 5,99 мм.

Хотя большинство характеристик индийской версии будут совпадать с глобальной моделью, по слухам, она получит аккумулятор увеличенной емкости. Ожидается, что цена Motorola Edge 70 в Индии составит около 35 000 индийских рупий (примерно 390 долларов США).

Motorola Edge 70 5G

Источник


Что нового?
Билл Гейтс делает ставку на 21 стартап для решения энергетического кризиса будущего Инвестиционная платформа Билла Гейтса Breakthrough Energy объявила о шестом выпуске программы Fellows, в который вошли 21 стартап. Эксперты утверждают, что рост потребления энергии дата-центрами — лишь начало, а электрификация экономики приведет к трехкратному скачку спроса. Инвестиции направлены на прорывные технологии, включая термоядерный синтез, новые методы транспортировки водорода и адаптацию к изменению климата.
DapuStor ускоряет SSD в семь раз за счёт резервирования части памяти QLC Компания DapuStor представила новый твердотельный накопитель, который использует часть QLC-памяти в постоянном режиме pSLC. Это решение позволяет ускорить случайную запись более чем в семь раз, пожертвовав от 6% до 20% общей ёмкости устройства.
CXMT запустит массовое производство DRAM с шагом 11,95 нм Китайский производитель памяти CXMT приступил к массовому выпуску чипов DRAM пятого поколения. Новый технологический процесс G5 достигает шага активной области 11,95 нм благодаря литографии с четырехкратным паттернованием и оптимизации структуры транзисторов.