Зарядные устройства GaN — относительно новый тип на рынке. Они предлагают несколько преимуществ по сравнению с традиционными зарядными устройствами. В первую очередь, они намного быстрее заряжают гаджеты.
В конструкции зарядного устройства GaN вместо кремния применяется нитрид галлия (GaN).
Кремний — хороший проводник электричества, но он не такой быстрый и эффективный, как GaN. Нитрид галлия — полупроводниковый материал, который имеет много преимуществ перед кремнием. Его можно использовать для изготовления транзисторов и, как следствие, микросхем меньшего размера. GaN может выдерживать более высокие уровни мощности, чем кремний. А поскольку он лучше проводит электричество, он может выдерживать большую мощность, не нагреваясь.
Зарядные устройства GaN также более энергоэффективны, чем традиционные ЗУ. Это означает, что они тратят меньше энергии в виде тепла, поэтому им не нужны громоздкие ребра охлаждения или радиаторы. Это делает их меньше и легче, то есть их проще брать с собой, что актуально, если вы часто путешествуете.
Подведем итоги и рассмотрим плюсы и минусы технологии GaN.
Плюсы зарядных устройств GaN
- Лучшее преобразование переменного тока в постоянный, чем в кремниевых зарядных устройствах, позволяет заряжать мобильные устройства быстрее и повышает эффективность. С зарядными устройствами GaN гаджеты будут потреблять меньше энергии и меньше нагреваться, что позволит им работать дольше.
- Технология позволяет получить мощное портативное и компактное зарядное устройство без ущерба для производительности.
Минус зарядных устройств GaN
ЗУ GaN дороже в производстве, чем зарядные устройства на основе кремния. Из-за этого не так много производителей использует технологию, хотя ожидается, что ситуация улучшится, когда производство и стоимость станут более доступными.
Поделиться
