Корпорация Intel объявила о намерении на проходящем в
Сан-Франциско
мероприятии IEDM (
International Electron Devices Meeting) обсудить
возможность использования ячеек бесконденсаторной памяти с так называемым
эффектом «плавающего тела», возникающего под затвором транзистора на
диэлектрической пленке. К слову сказать, кроме
Intel, в направлении
использования этого эффекта работают также
Toshiba, Innovative Silicon и
Renesas.
Однако, в отличие от них, Intel намерена использовать эту технологию в качестве кэш-памяти для своих будущих процессоров вместо
SRAM, которая имеет недостаточную по сегодняшним меркам плотность. В то же
время, альтернативная ей технология eDRAM хоть и имеет большую плотность,
отличается более низкой скоростью работы, да и стоит дороже. Таким образом,
FBC может стать для Intel неким компромиссным решением.
Но прежде процессорному гиганту все же придется решить некоторые проблемы,
связанные, в частности, с трудностями выпуска процессоров с интегрированным
кэшем. Впрочем, о массовом внедрении FBC речи пока и не идет: для того
чтобы окончательно определиться с использованием этой технологии в своих
процессорах, Intel потребуется от трех до семи лет.
Поделиться
