В памяти переменного состояния для хранения информации вместо электрических зарядов используется вещество, изменяющее свое состояние с аморфного на кристаллическое. По мнению ученых, такая память обладает потенциальными возможностями ускорения работы и увеличения емкости.
В настоящее время большая часть исследований будет проводиться в исследовательском центре IBM — TJ Watson Research Center — в
Поделиться
