Samsung разработал память 4 ГБ OneNAND для мобильных телефонов

Компания Samsung сообщила о разработке памяти OneNAND объемом 4 ГБ. Как ожидается, данный тип памяти будет востребован в компактных 3G-телефонах и КПК. Модуль работает от напряжения 1,8 В, что почти наполовину меньше современных типов памяти, у которых этот показатель достигает 3,3 В.

Размеры памяти составляют 11х13х1,4 мм, скорость считывания данных в модели — 108 МБ/с, что приблизительно в 4 раза больше существующих нынче NAND. Скорость записи — 10 МБ/с. Емкость памяти позволяет сохранить 250 снимков, снятых 5-мегапиксельной камерой, и 120 музыкальных файлов.