Samsung анонсировал первый модуль DDR3 DRAM

Компания Samsung объявила о создании первого в мире модуля памяти DDR3 DRAM (dynamic random access memory). Новая память объемом 512 МБ обеспечивает обработку данных со скоростью 1066 Мбит/сек, что эквивалентно 8 тыс. газетных страниц в секунду.

В продаже модель будет доступна в начале 2006 года. Прототип DDR3 от Samsung является первым чипом, работающим от напряжения 1,5 В, что обеспечивает более низкое энергопотребление. Скорость DDR3 почти вдвое превышает скорость чипов DDR2. Модель построена на основе 80-нанометровой технологии.

Компания впервые представила модули DDR DRAM в 1998 году, а DDR2 DRAM – в 2001. Согласно прогнозам IDC, доля рынка DDR3 составит около 65% в 2009 году.