Компания Samsung Electronics представила 512-мегабитную DRAM память для мобильных телефонов, которая обеспечивает скорость обработки данных до 1,3 ГБ в секунду, сообщает The Korea Times. В компании заявили, что теперь они создадут 1-гигабитный чип, соединив две 512-мегабитных DRAM памяти.
Производители телекоммуникационного оборудования проявляют все большую заинтересованность в микросхемах DRAM для мобильных телефонов, т.к. эти чипы обладают более высокими характеристиками в отношении обработки голосовых данных и хранения больших объемов информации.
Новые чипы позволяют обрабатывать объем информации, эквивалентный пятилетнему архиву ежедневных газет объемом 40 страниц каждая за 1 секунду и затрачивать при этом 1,8 Вт электричества, в то время как современные аналоги потребляют от 2 до 3 Вт.
Ожидается, что производство новинки будет налажено уже во второй половине 2005 года. Представители компании считают, что новая разработка призвана значительно улучшить работу сотовых телефонов Samsung третьего поколения.
Поделиться
