Китайский техношпион
Китайского производителя микросхем CXMT обвинили в разработке детального плана по достижению крупной доли на глобальном рынке оперативной памяти. Как пишет Tom’s Hardware, он называется «Проект Хэфэй» (Project Hefei). Сейчас у CXMT 10%, и есть вероятность, что без помощи этого плана CXMT не обошлась.
Сам план включает в первую очередь кражу технологических секретов Samsung по производству DRAM, состоящих из 620 пунктов. Известно о существовании такого документа стало в рамках судебного разбирательства по делу о потенциальной краже секретов южнокорейской компании Samsung специалистами CXMT.
Samsung – один из трех крупнейших в мире вендоров чипов памяти наряду с SK Hynix (Южная Корея) и Micron (США).
Дело рассматривается в южнокорейском суде, где уже вынесено несколько обвинительных приговоров, два из которых предусматривают тюремное заключение для бывших инженеров Samsung. Сведения о «Проекте Хэфэй» стали продолжением этой истории.
Данный проект – предполагаемая дорожная карта CXMT, описывающая долгосрочное планирование в отношении технологических «приобретений» (по сути, кражи), переманивания персонала и запуска производства – все это ключевые элементы стратегии CXMT, которые, возможно, напрямую привели к тому, что она заняла 10% мирового рынка DRAM-памяти, пишет Tom’s Hardware.
По последним подсчетам южнокорейской прокуратуры в декабре 2025 г., ущерб, нанесенный Samsung в результате предполагаемых махинаций CXMT, достиг как минимум десятков триллионов вон. Приблизительная оценка, учитывая прошедшее время, может указывать на цифру в районе 40 трлн вон или $29,5 млрд, и эта цифра будет экспоненциально расти, отмечают в Tom’s Hardware.
«Однако долгосрочное влияние на рынок памяти и технологии в целом выходит далеко за рамки простых числовых описаний. В целом, если эти обвинения верны, то махинации CXMT привели к экономическому событию геополитического масштаба. Доктор Зло был бы горд», – добавляет Tom’s Hardware.
Все в сговоре
Согласно просочившимся в прессу судебным документам, обвинение утверждает, что проект «Хэфэй» представлял собой весь план разработки DRAM компанией CXMT и возглавлялся руководителем ее отдела разработок. К слову, ранее он руководил разработкой DRAM в Samsung.
Старт проекту был дан примерно в августе 2016 г., говорится в документах – вскоре после создания самой компании CXMT в июне 2016 г.
По информации Tom’s Hardware, предполагаемая идея заключалась в получении доступа к технологическому плану Samsung (Process Recipe Plan, PRP) к сентябрю 2016 г. Также CXMT намеревалась переманить ключевых инженеров Samsung к октябрю 2016 г., завершить необходимые НИОКР в июле 2017 г. и начать производство DRAM-пластин к августу 2018 г. со скоростью 10 тыс. кремниевых пластин в месяц. Утверждается, что набор данных PRP включает 620 этапов производства DRAM и содержит информацию об оборудовании, расходных материалах и методах производства.
Первые шаги
В судебных документах говорится, что в августе 2016 г. CXMT впервые попыталась изготовить пластины с 18-нм чипами, полагаясь на коллективную память инженеров Samsung, которых она переманила. Этих воспоминаний, по-видимому, оказалось недостаточно, поэтому, получив якобы незаконный доступ к PRP-системе Samsung, CXMT подготовила собственный аналогичный документ в сентябре 2016 г. Утекшие данные даже включали информацию о конкретных поставщиках оборудования и номерах моделей.
Новый план технологического развития CXMT был затем передан ключевым специалистам компании, многие из которых были бывшими инженерами Samsung. Они, по утверждению обвинения, должны были немедленно распознать в данных информацию, полученную от корейской компании. Документ, по-видимому, содержал пометки и заметки о технологических разработках, которые были уникальными для Samsung. В качестве свидетеля по этому делу выступил осужденный бывший исследователь Samsung по фамилии Чон, ранее приговоренный к семи годам тюрьмы за ручное копирование частей плана технологического развития перед переходом в CXMT.
Что будет дальше
Нынешние амбиции CXMT в отношении производства DRAM могут позволить ей занять 30% рынка к 2030 г., считают аналитики Tom’s Hardware. По сути, она может стать весьма влиятельным игроком этого рынка уже через несколько лет.
CXMT была создана в июне 2016 г. в китайском городском округе Хэфэй (отсюда и название проекта) с государственными инвестициями в размере около $1,9 млрд. По предварительным данным, проведение НИОКР и в целом строительство исследовательских центров в планы компании на момент основания не входило.
Как пишет Tom’s Hardware, переход от полного отсутствия производственных мощностей и институционального опыта к производству DRAM-пластин всего за два с небольшим года был бы беспрецедентным достижением и, предположительно, практически невозможен без предполагаемой кражи интеллектуальной собственности. Запуск производства памяти обычно занимает от двух до четырех лет , не говоря уже о времени на исследования. В 2019 г. компания заявила, что разработала новые 8-гигабитные чипы DDR4 полностью собственными силами как «скачкообразную, независимую» (leapfrog, independent) технологию и начала продавать чипы DRAM на местном рынке.
Затем наступила эра искусственного интеллекта, который поглотил все свободные DRAM-чипы в мире, тем самым обеспечив взрывной рост бизнеса CXMT как производителя этих микросхем. Ее доля мирового рынка DRAM выросла с примерно 4% во II квартале 2025 г, до около 10% во II квартале 2026 г.
Производственные мощности компании за тот же период были расширены до трех цехов по изготовлению 12-дюймовых пластин. По плану, к концу 2026 г. CXMT будет выпускать 350 тыс. пластин в год – тут она почти догнала Micron, которая выпускает 375-385 тыс. пластин в год.
CXMT также планирует открыть второй завод в Пекине, стремясь после его ввода в эксплуатацию производить более 600 тыс. пластин ежегодно.
Как пишет Tom’s Hardware, рост CXMT обусловлен не только ее долей на рынке DRAM. Выручка компании выросла на 716% год к году во II квартале 2026 г., а IPO на шанхайской бирже STAR Market в июле 2026 г. привело к росту акций на 466%, принеся компании $8,6 млрд и сделав ее самым дорогим производителем микросхем на китайском фондовом рынке.
По имеющимся данным, около 70% этих средств направляется на дальнейшее расширение производства DRAM, а не на более дорогостоящую и сложную HBM. Однако компания уже предоставила образцы HBM3E компаниям T-Head и Cambricon, принадлежащим Alibaba, Хотя Samsung и SK Hynix в это же время переходят к производству более современной HBM4.
Поделиться
