Корпорация Toshiba объявила об успешной разработке новой туннельной технологии, которая в будущем позволит создавать флэш-память намного большей емкости, на базе нового, 10-нм технологического процесса. Технология была анонсирована вчера, 12 декабря, на конференции IEDM (International Electron Devices Meeting) в Вашингтоне, США.
Разработка Toshiba представляет собой туннельный слой, контролирующий перемещение электронов в SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor), структуре памяти, где электроны удерживаются в нитридном слое изолирующего затвора. Структура представляет собой кремниевый кристалл толщиной 1,2 нм между 1-нм оксидными пленками. Такой тип памяти способен хранить информацию очень долгое время и обеспечивает высокую скорость записи и одновременного удаления битов.
Новая технология позволит хранить в одном слое до 100 Гбит (12,5 ГБ) данных. Для сравнения, современная однослойная NAND-память, используемая в плеерах iPod, флэш-накопителях и т.д. способна хранить лишь 16 Гбит. Обычно для увеличения емкости производители используют дополнительные слои.
Поделиться
