Выбирай : Покупай : Используй

Вход для партнеров

Вход для продавцов

0

HUAWEI Mate 80 получит «режим путешественника» с автономностью до 14 дней

У HUAWEI Mate 80 появится «режим путешественника» с автономностью до 14 дней

Смартфон HUAWEI Mate 80 получит специальный «режим путешественника» (Outdoor Mode), обеспечивающий автономную работу устройства до двух недель. Об этом сообщается в анонсе, опубликованном в соцсети Weibo

 

Режим Outdoor Mode предназначен для пользователей, отправляющихся в походы или длительные командировки, а также для ситуаций, когда нет доступа к розетке или внешнему аккумулятору. В этом режиме значительно снижается энергопотребление за счёт отключения или ограничения работы ряда компонентов, включая модуль спутниковой связи. Производитель не уточнил, какие именно функции будут недоступны при активации режима.

Отмечается, что Outdoor Mode сохраняет работоспособность даже при отрицательных температурах, что делает его пригодным для использования в зимний период.

Премьера серии HUAWEI Mate 80 состоится в Китае 25 ноября.

Источник X/Weibo


Билл Гейтс делает ставку на 21 стартап для решения энергетического кризиса будущего Инвестиционная платформа Билла Гейтса Breakthrough Energy объявила о шестом выпуске программы Fellows, в который вошли 21 стартап. Эксперты утверждают, что рост потребления энергии дата-центрами — лишь начало, а электрификация экономики приведет к трехкратному скачку спроса. Инвестиции направлены на прорывные технологии, включая термоядерный синтез, новые методы транспортировки водорода и адаптацию к изменению климата.
DapuStor ускоряет SSD в семь раз за счёт резервирования части памяти QLC Компания DapuStor представила новый твердотельный накопитель, который использует часть QLC-памяти в постоянном режиме pSLC. Это решение позволяет ускорить случайную запись более чем в семь раз, пожертвовав от 6% до 20% общей ёмкости устройства.
CXMT запустит массовое производство DRAM с шагом 11,95 нм Китайский производитель памяти CXMT приступил к массовому выпуску чипов DRAM пятого поколения. Новый технологический процесс G5 достигает шага активной области 11,95 нм благодаря литографии с четырехкратным паттернованием и оптимизации структуры транзисторов.