AMB (advanced memory buffer) чип был добавлен к каждому модулю памяти, чтобы стало возможным использовать одновременно высоко- и низкоскоростные интерфейсы. Пропускная способность буфера находится в пределах от 3,2 до 4,8 Гбит/сек. Максимальная достигаемая скорость новой FB DIMM от Samsung – 4,8 Гбит/сек, что в два раза превышает скорость регистровых модулей памяти предыдущего поколения DDR2-400, сделанных с использованием компонентов технологии DDR2-800.
До настоящего времени с увеличением частоты шины памяти уменьшалась частота обращений к слоту памяти. В архитектуре FB DIMM этот недостаток устраняется организацией прямых соединений, которые позволяют нескольким модулям памяти быть соединенными последовательно для данного канала. Благодаря этому емкость возрастает. Все это позволит увеличить емкость канала до 8 Гбит/сек на канал, что в общем увеличивает пропускную способность до 32 Гбит/сек при использовании памяти 1 ГБ.
Благодаря FB DIMM повышается эффективность системы в целом за счет оптимизации архитектуры. В дополнение к вышесказанному использование памяти FB DIMM предотвращает ошибки, возникающие в серверных системах, когда количество модулей памяти превышает два на канал.
Samsung представил образцы FB DIMM 512 МБ и 1 ГБ, которые полностью соответствуют стандарту JEDEC.
Поделиться
