В результате первых экспериментов с образцом памяти удалось установить, что она способна записывать, читать и удалять биты данных со скоростью в 1000 раз выше средней скорости работы современных устройств на базе флэш-памяти. При этом, как отмечают ученые, их память потребляет очень маленькое количество электрической энергии, всего 0,7 мВт на операцию с одним битом. Данные на таком носителе могут надежно храниться в течение 100 тыс. лет.
Как рассказал TG Daily руководитель команды разработчиков Ритеш Эгарвал (Ritesh Agarwal), доцент кафедры изучения материалов, теоретически на основе данной технологии можно создавать терабитные модули памяти небольших размеров. По его убеждению, подобная память по части плотности записи может составить конкуренцию флэш-памяти. Он добавил, что выход подобной памяти на массовый рынок ожидается никак не раньше, чем через восемь, или даже десять лет. Отметим, что ранее аналитики предсказывали появление первых продуктов на базе фазовой памяти уже в 2007-2008 гг.
Мировые разработчики кремниевых микросхем давно ведут активные поиски новых технологий, которые позволят сократить стоимость производства, будут потреблять меньше энергии и, в то же время, работать быстрее сегодняшней флэш-памяти. В 2005 г. о разработке памяти, основанной на фазовых переходах, сообщали специалисты исследовательских лабораторий Philips. В конце 2006 г. подобная память была создана группой компаний, в число которых входила IBM, однако скорость работы их памяти была ниже. Компания Intel также ведет разработки в этой области, в апреле текущего года ею был продемонстрирован собственный чип фазовой памяти.
| Учебный центр CNews, курс: «Стартап-менеджмент – новый подход к решению сложных задач в условиях жесткой конкуренции» 24.09 - 25.09 |
Поделиться
