MRAM намного превосходит способности современных чипов, поскольку такой чип обладает большим объемом памяти и способен обрабатывать данные в сотни-тысячи раз быстрее, чем существующие полупроводники.
«Мы впервые доказали, что соединение кобальта и кремния, которое не обладает естественными магнитными свойствами, можно заставить проявлять магнитные свойства, если сделать из него линии микроскопического размера», - говорит профессор Ким Бонг-су. Выстроив линии соответствующим образом, исследователи смогли получить трехмерный модуль MRAM. Таким образом, чипы следующего поколения будут считывать цифровую информацию (единицы и нули), используя магнитные свойства.


