Ник Холоняк (Nick Holonyak Jr, на фото) и Милтон Фенг (Milton Feng), ученые из университета в Урбана-Шампейн (штат
Иллинойс), опубликовали в журнале Applied Physics Letters сообщение о создании полупроводникового устройства - биполярного транзистора, в котором использована подложка из арсенида
галлия и слои InGaP,
InGaAs и
GaAs. Им удалось зарегистрировать излучение базового слоя транзистора, при этом интенсивностью излучения можно управлять путем изменения тока базы. Д-р Холоняк объясняет возникновение излучения в инфракрасном диапазоне процессом рекомбинации в InGaP и GaAs электронов и положительно заряженных дырок. То же самое происходит и в светоизлучающих диодах, но в транзисторах
образование фотонов происходит в условиях с несравненно большей скоростью рекомбинации. Д-р Фенг говорит, что в новом транзисторе по существу появляется новый порт - оптический. Излучение можно модулировать - исследователи продемонстрировали эту возможность в транзисторе, работающем на частоте 1 МГц, и в принципе есть возможность модуляции и на гораздо более высоких частотах.
Ученые считают, что разработка находится лишь на самой начальной стадии, и пока трудно предвидеть все возможные области применения. Однако ясно, что светоизлучающие транзисторы можно использовать в интегрированных сборках, где одновременно происходит обработка электрических и оптических сигналов. Возможность работы на высоких частотах привлекательна с точки зрения замены электрических соединений между электронными компонентами плат на оптические.
Холоняк и Фенг - очень авторитетные специалисты в сфере разработки полупроводников. Д-р Холоняк разработал первый коммерческий образец светоизлучающего диода и первый полупроводниковый лазер в видимом диапазоне спектра. Д-р Фенг недавно представил биполярный транзистор InP-типа, работающий на рекордной частоте 509 ГГц.
Источник: собственная информация CNews.ru с использованием материалов журнала Applied Physics Letters и сайта Optics.org.
Поделиться