Солнечные батареи станут еще эффективнее

В отличие от предыдущей (2002 г.) разработки с рекордными показателями эффективности преобразования световой энергии в электрическую, новый сплав не использует отдельные соединенные между собой слои металла с избытком либо электронов, либо дырок. Да и состав предыдущего сплава совсем иной (InGaN).

Идея InGaN-сплава заключалась в использовании нескольких вариантов полупроводников, каждый из которых воспринимает солнечное излучение в определенном диапазоне. Именно это позволило охватить весь спектр солнечного излучения. В новой разработке иной подход - использованный сплав является многозонным, т.е. полупроводник по существу один, а валентных зон у него несколько, с разной шириной зоны. Это также позволяет воспринимать излучение во всем спектральном диапазоне.

Исследователи считают, что с помощью нового полупроводника они смогут достичь коэффициента преобразования солнечной энергии в электричество на уровне 50% или выше. Пока это никому не удавалось сделать.