Сито из нанопроводов: новый тип фотосенсора

Современные фотосенсоры, используемые, например, в цифровых камерах, являются интегральными микросхемами и изготавливаются, как и любые другие кремниевые чипы, из единого блока исходного материала. Новые сенсоры, предложенные группой американских исследователей из университета штата Калифорнии в г. Беркли, основаны на использовании сетки из нанопроводов, полученных методами осаждения из газовой фазы на поверхности подложки.

Полученные таким образом нанопровода имеют длину порядка 0,1 мм и ширину в несколько нанометров. Нанопровода при получении сильно перепутаны, но в дальнейшем процессе перенесения их на практически любую поверхность становятся более упорядоченными с помощью нанесенного на этой поверхности шаблона. Поверхность при этом может быть из самых разных материалов, вплоть до пластмассы или бумаги.

Для изготовления датчиков на поверхность сначала наносят нанопровода из селенида кадмия, в котором возникают свободные заряды при попадании света, а затем нанопровода из германия, покрытого кремнием (этот слой играет роль усилителя). Калифорнийским исследователям удалось создать прототип фотосенсора с 260 пикселями, каждый из которых состоял из 5 сенсорных и одного усилительного слоя. Около 80% пикселей оказались полностью работоспособными. Руководитель группы д-р Али Джави (Ali Javey) считает, что с помощью предложенной технологии можно создать сенсоры метровых размеров, которые при этом будут гибкими.

Эксперты отмечают, что эта работа имеет огромное значение для развития электроники. Технология не требует больших затрат, и появление готовых продуктов приведет к разработке целого ряда новых приложений, среди которых в первую очередь отмечается беспроводная связь. Группа д-ра Джави сейчас разрабатывает другие компоненты, необходимые для подобных приложений, в частности, нанобатареи, сообщает New Scientist.