Samsung представляет чип памяти нового поколения OneDRAM

Впервые об интегрированных чипах компания Samsung сообщила в 2002 году, когда появилась концепция Fusion Memory Chip и технология OneNAND, объединяющая в одном чипе ячейки флэш-памяти NAND, высокоскоростной SRAM-буфер и логический интерфейс.

Развитие концепции Fusion Memory привело к появлению технологии второго поколения под названием OneDRAM. Мобильные устройства в последние годы осваивают всё более сложные мультимедийные приложения, и для этого конструкторам приходится использовать два процессора — один для связи, другой для обработки мультимедиа.

В новом чипе OneDRAM с емкостью 512 Мбайт и частотой 133 МГц осуществляется буферизация и передача данных между процессорами, тем самым отпадает необходимость в установке соответствующих модулей DRAM- и SRAM-памяти, используемых в качестве буферной памяти. В чипе используются два порта, что позволяет существенно увеличить скорость обмена данными между процессорами.

Данные, обрабатываемые различными процеcсорами, находятся в памяти с общим доступом, при этом объем памяти для каждого процессора можно регулировать. Кроме более высокой скорости обмена данными между процессорами, чип сокращает потребление энергии на 30%, имеет вдвое меньшие размеры, что в итоге в пять раз увеличивает производительность в игровых приложениях, уменьшает общие габариты аппарата (особенно толщину) и увеличивает продолжительность работы телефона.

Чип Samsung отвечает требованиям стандарта памяти с удвоенной скоростью обмена данных и сниженным потреблением энергии (LPDDR). Один чип OneDRAM может заменить по крайней мере два чипа в смартфонах и других трубках с расширенными мультимедийными возможностями. Кроме того, общее число электронных компонентов в телефоне сокращается, а суммарная производительность возрастает.

Samsung собирается начать поставки новых моделей телефонов с чипами OneDRAM в первом полугодии 2007 года.