Samsung переводит память на 60-нм процесс: подробности

Новые чипы имеют объем 1 Гбит. Появление на рынке 1 Гб DRAM чипов приведет к дальнейшему росту спроса на модули памяти с увеличенным объемом. Новая операционная система Vista, например, требует объема оперативной памяти не менее 1 Гбайт. На основе 60-нм 1 Гбитных чипов компания изготовила и передала на испытания крупным заказчиками модули памяти стандартов с объёмами 512 МБ, 1 ГБ и 2 ГБ, поддерживающие скорости 667 Мбит/с или 800 Мбит/с.

Samsung отмечает, что переход к нынешней технологии DRAM основан на широком использовании фирменных инноваций, особенно на трехмерной архитектуре транзисторов, известной под названием RCAT (Recess Channel Array Transistor), которая дает возможность минимизировать размер ячеек DRAM и увеличить плотность их упаковки.

Технология трехмерных транзисторов позволяет также удвоить цикл обновления, что критически важно для эффективного производства в соответствии с новыми технологическими нормами. Архитектура RCAT обеспечит в дальнейшем переход на нормы 50 нм и ниже.

Другие инновации, внесшие вклад в успех Samsung - технология производства конденсаторов MIM (Metal-Insulator-Metal) и технология селективного эпитаксиального роста, благодаря которой оптимизируются электронные потоки внутри чипа, сокращается энергопотребление и увеличивается производительность.

Samsung рассчитывает, что переход на выпуск 60-нм чипов даст 40%-ный выигрыш в себестоимости по сравнению с чипами, изготовленными по нынешнему 80-нм техпроцессу. Для освоения массового 60-нм производства компании потребовалось полтора года. Среди других компаний, готовых составить конкуренцию Samsung, стоит отметить Hynix, которая в декабре 2006 года cообщила о выпуске опытных образцов аналогичных чипов. Hynix обещает освоить массовое производство в первом полугодии 2007 года.

По прогнозам аналитиков, массовой новая технология производства чипов памяти станет лишь в следующем году.