Reuters: Intel объявит о разработке 90-нм техпроцесса
Как ожидается, в сегодняшнем объявлении специалисты Intel изложат основные принципы 90-нанометрового производственного процесса, собственную разработку компании, которая включает материалы, оборудование и последовательность технологических переходов, необходимых для создания микросхем нового микроскопического размера.
По словам представителей Intel, новый техпроцесс позволит создавать транзисторы с шириной затвора всего 50 нанометров (нанометр - миллиардная часть метра), или одна двухтысячная толщины человеческого волоса. Уменьшение размеров транзисторов повышает производительность компьютерных интегральных схем и снижает производственные затраты.
Кроме того, Intel сегодня объявит также планы по применению новой технологии "растягивания" во все стороны атомов в кремниевой пластине, благодаря чему они выстраиваются ровными рядами. В результате электроны движутся гораздо быстрее и встречают меньшее сопротивление со стороны образованной атомами кристаллической решетки, что позволяет существенно увеличить производительность микросхем. Первой о создании подобной технологии, названной "strained silicon" ("растянутый кремний"), заявила в августе прошлого года корпорация IBM, однако Intel, как ожидается, будет принадлежать первенство по внедрению ее в серийное производство.
Кроме уменьшения размеров транзисторов, Intel также уделяет пристальное внимание объединению на одной микросхеме процессоров, памяти и средств беспроводной связи - созданию так называемого "кремниевого радио". Интеграция компьютерных и коммуникационных технологий в единую платформу позволит Intel расширить свое влияние на телекоммуникационный и другие рынки, а не только на сектор ПК.
Кроме того, на двух американских фабриках компании - в Орегоне и Нью-Мексико - осуществляется переход с 8-дюймовых на 12-дюймовые кремниевые пластины, что, по мнению специалистов Intel, позволит сократить производственные издержки, по крайней мере, на 30% в расчете на один чип.
Источник:
по материалами Reuters ©