Память из наноточек: запись в сто раз быстрее

Новая память сделана на основе слоя не проводящего ток материала со встроенными дискретными (неперекрывающимися) наноточками кремния размером около 3 нанометров.

Каждая наноточка играет роль одного бита памяти. Для управления памятью используется тонкий слой металла, который функционирует как затвор транзистора.

«Металлический затвор является основой наноразмерной CMOS-технологии памяти, - говорит научный сотрудник Национальной лаборатории наноустройств Цзя-Мин Шиен. - Наша система использует множество дискретных наноточек кремния для хранения и удаления заряда, которые могут хранить данные. Это простой и быстрый способ записи информации».

Исследователи из Тайваня и Университета Калифорнии, Беркли, смогли изготовить новый тип памяти с помощью ультракоротких импульсов зеленого лазера, который с высокой точностью создает затвор над каждой из кремниевых наноточек.

По заявлению исследователей, новый тип памяти не только быстр, но и надежен, поскольку заряд каждой отдельно взятой точки не может повлиять на соседние заряды. Это позволяет создавать стабильные накопители информации, которые могут хранить данные очень долго.

Но главное: материалы и процессы, используемые для изготовления новой памяти, совместимы с современными технологиями изготовления CMOS-чипов. Это означает, что сверхбыструю память на кремниевых наноточках можно запустить в массовое производство в короткие сроки.