Новое поколение радиационно стойкой электроники разрабатывается в США

В технологическом институте штата Джорджия (США) ведётся разработка нового поколения радиационной стойкой электроники на базе кремний-германиевых полупроводников для систем космического и специального назначения, сообщает пресс-служба института.

В отличие от стандартных технологий обеспечения радиационной защиты электроники, заключающейся в использовании особых технологических процессов и приводящих в итоге к удорожанию продукции в 10-50 раз, новая методика производства радиационно стойкой электроники должна обеспечить её производство с использованием стандартных технологий и технологических процессов.

Кремний-германиевые полупроводники относительно устойчивы к ионизирующему излучению, однако уязвимы для высокоэнергетичных тяжёлых ионов, присутствующих (в качестве компоненты) в космическом излучении.

Для изучения специфики взаимодействия полупроводника с такими ионами исследователи используют высокоскоростной электронный микроскоп, позволяющий восстановить этапы развития ливня в материале с временным разрешением порядка пикосекунд, инжектируют ультракороткие импульсы в материале с помощью лазера, а также тяжёлые ионы с помощью прецизионного ионного микроисточника Национальных лабораторий Sandia.

Широко используется также 3D-моделирование процессов развития ливней в материале.

Комплексные исследования процессов радиационного повреждения кремний-германиевых полупроводниковых материалов должны позволить учёным создать в итоге недорогие и дешёвые микроэлектронные устройства, радиационная стойкость которых обеспечивается не за счёт экранирования, специальной технологической обработки на этапе создания, либо многократного резервирования.

В настоящее время российская космическая промышленность приобретает радиационно стойкую электронику, без которой невозможно создание эффективных долговременных спутников на базе негерметичных платформ, в частности, в США.