Наноматериалы защитят от космической радиации

Нитрид галлия (GaN) – многообещающий полупроводниковый наноматериал для электроники, так как полупроводниковые структуры на его основе устойчивы к ионизирующей радиации.

Как установили ученые из Молдовы, России и США, нанотехнологически модифицированный нитрид галлия обладает еще более высокой устойчивостью к ионизирующему излучению.

Как сообщает Nanotechweb, Йон Тигиняну (Ion Tiginyanu) из Академии Наук Молдовы ученые из Объединенного института ядерных исследований в Дубне и специалисты из университета Вирджинии обработали пластину GaN мощным ультрафиолетовым излучением в среде гидрооксида калия. В результате на поверхности образовалась матрица нанопирамидок, которая позволила GaN-наноструктуре выдерживать вдесятеро большую ионизирующую радиацию.

Эксперименты ученые проводили с ионами 85 и 130 МэВ на циклотроне в Лаборатории ядерных реакций имени Г.Н. Флерова в Дубне.

Как полагают разработчики, новый материал позволит делать различные электронные приборы для их использования в экстремальных условиях. Например, датчики и электронику спутников и приборы другой аэрокосмической техники.