Intel создала ячейку памяти SRAM площадью 1 мкм²

Корпорация Intel намерена внедрить 90-нанометровую технологию в массовое производство в течение следующего года, тем самым в очередной раз на практике подтвердив действующий уже 12 лет закон о переходе на технологию производства нового поколения каждые два года. По новой технологии корпорация будет производить большинство своей продукции, в том числе процессоры, чипсеты и коммуникационное оборудование. Продукция по данной технологии будет производиться исключительно на 300-миллиметровых подложках.

Исследователи корпорации Intel создали 52-мегабитные микросхемы - самые емкие из когда-либо созданных микросхем памяти стандарта SRAM, в каждой из которых содержится по 330 млн. транзисторов, при этом площадь микросхемы составляет всего 109 мм² (меньше, чем у десятицентовой монеты).

Новые 52-мегабитные микросхемы памяти стандарта SRAM были созданы на экспериментальной фабрике Intel под названием D1C в Хиллсборо, штат Орегон, где налажен выпуск продукции на 300-миллиметровых подложках с использованием комбинации передовых литографических инструментов толщиной 193 и 248 миллимикрон.

Производство микросхем памяти стандарта SRAM традиционно используется в отрасли для тестирования новых технологий создания логических микросхем. Малый размер ячейки памяти играет исключительно важную роль, поскольку он позволит Intel экономически эффективно увеличить производительность микропроцессора за счет увеличения объема встроенной кэш-памяти и повышения общей емкости логической микросхемы. Рабочие микросхемы памяти стандарта SRAM также являются доказательством успешного практического воплощения всех возможностей 90-нанометровой технологии производства, необходимых для создания микропроцессоров, включая высокопроизводительные транзисторы и медные соединения.