Intel: начало эры трехмерных транзисторов
В основе транзистора корпорации Intel с тройным затвором лежит новая трехмерная структура, похожая на приподнятую горизонтальную плоскость с вертикальными стенками. Эта структура позволяет посылать электрические сигналы как по "крыше" транзистора, так по обеим его "стенам". За счет этого эффективно увеличивается площадь, доступная для прохождения электрических сигналов, - это похоже на расхождение однополосной дороги в широкое трехполосное шоссе, только в случае с транзистором не требуется дополнительного свободного места. Транзистор с тройным затвором в миллимикронных геометрических конструкциях работает не только более эффективно, но и быстрее, проводя на 20 % больше тока выборки по сравнению с традиционной планарной конструкцией с аналогичным размером затвора.
Структура тройного затвора - многообещающая разработка для дальнейшего развития архитектуры терагерцового транзистора, которую корпорация Intel представила в декабре 2001 г. Тройной затвор строится на ультратонком слое полностью обедненного кремния, что обеспечивает снижение утечки тока. Это позволяет транзистору быстрее включаться и выключаться при значительном снижении энергопотребления. Особенностью этой конструкции также являются поднятые исток и сток - в результате снижается сопротивление, что позволяет транзистору работать от тока меньшей мощности. Новая конструкция совместима с разрабатываемым в данный момент диэлектриком K-затвора с высокой проницаемостью, который позволит еще больше снизить утечку тока.
Исследователи Intel обсудят основные элементы новых транзисторов с тройным затвором на Международной конференции по полупроводниковым устройствам и материалам в г. Нагоя (Япония). Intel планирует выпустить специальный технический документ, где будут освещаться производительность, энергопотребление и утечка тока новых транзисторов, а также внесенные в них значительные усовершенствования по сравнению с существующей конструкцией.
Источник: пресс-релиз российского представительства Intel.