IBM выходит в третье измерение

Технология "through-silicon via" (сквозное соединение, или перемычка через кремниевую пластину) подразумевает создание слоев из нескольких кремниевых пластин, в каждой из которых при помощи процесса травления создаются каналы, заполняемые затем проводящим металлом. Эти соединения между отдельными пластинами и являются основой новой технологии.

Таким образом, можно сократить на три порядка расстояние, которое приходится преодолевать сигналам в чипе, а пропускная способность каналов в сравнении с двумерными чипами возрастает на два порядка. Повышается плотность компоновки элементов в чипе и увеличивается его быстродействие, уменьшаются размеры и удельное энергопотребление.

Технология, над которой компания работала около десяти лет, уже вышла за пределы лабораторий IBM и проходит обкатку на производственных линиях. Во втором полугодии 2007 года появятся первые образцы чипов, которые будут переданы заказчикам для проведения испытаний, а серийный выпуск намечено начать в 2008 году.

Предполагается, что первыми потребителями новой технологии будут разработчики микросхем для беспроводной связи, используемых, в частности, в усилителях мощности для беспроводных локальных сетей и сетей сотовой связи. Другие возможные применения - высокопроизводительные серверы и суперкомпьютеры IBM.

IBM приводит некоторые оценки по перспективам применения новой технологии. Эффективность использования энергии в кремний-германиевых микросхемах для беспроводной связи увеличивается на 40%, что значительно продлевает время автономной работы устройств.

По мере увеличения числа процессорных ядер на одном чипе возрастают требования к равномерности распределения питания. Это можно достичь с помощью трехмерной компоновки, а энергопотребление одновременно снижается на 20%. Предполагается также создание новых вариантов суперкомпьютера, в котором будут радикальным образом изменены способы взаимодействия между процессором и памятью, что в итоге существенно ускорит скорость обработки данных, сообщает IBM Research.