Гибридный транзистор ускорит работу беспроводных сетей

Группа ученых из исследовательского центра Уотсона компании IBM в Нью-Йорке под руководством Гавама Шахиди (Ghavam Shahidi) объявила в минувший вторник на конференции Bipolar-BiCMOS Circuits, состоявшейся во французском городе Тулуза, о создании транзистора, который будет работать в три раза быстрее ныне существующих, а энергии потреблять при этом на 80% меньше.

По мнению ученых, технология, используемая при производстве обычных микропроцессорных CMOS-транзисторов (комплиментарные металл-оксидные полупроводники, КМОП) более эффективна для создания биполярных кремний-германиевых (SiGe) транзисторов. Они используются в микросхемах, работающих на радиочастотах, и, в частности, находящих применение в устройствах беспроводной передачи данных. Это связано с тем, что подобные транзисторы лучше усиливают слабые радиочастотные сигналы, однако при использовании в качестве обычных микропроцессорных транзисторов их эффективность, наоборот, существенно снижается.

Используя технологию создания слоя "кремний на изоляторе", позволяющую уменьшить емкость биполярных транзисторов, ученые из IBM смогли увеличить скорость их переключения. Такая технология уже используется в последних моделях микропроцессоров. По мнению специалистов IBM, новая технология открывает путь для размещения транзисторов обоих типов на одной подложке, что позволит создать более быстрые и экономичные гибридные микропроцессоры для беспроводной связи. На это, по мнению представителей компании, уйдет около пяти лет.

Источник: по материалам журнала New Scientist.