EUV-литография: процессоры станут в десятки раз быстрее

Совершенствование технологий литографии с использованием видимого и ультрафиолетового излучения на протяжении последних двадцати пяти лет привело к тому, что количество транзисторов на единице площади микросхемы удваивалось примерно каждые два года, однако к 2007 году, как утверждают специалисты, будет достигнут физический предел.

Проект EUVL позволит развернуть как раз к этому году массовое серийное производство микроэлектронных устройств по новой технологии, использующей излучение с длиной волны в десять раз меньше, чем в современных литографических процессах.

Для работы с излучением, длина волны которого составляет всего 134 Ангстрема, потребовалось изменить оптическую систему, отказавшись от фокусировки излучения с помощью линз и перейдя на использование отражающей оптики (зеркал со специальным покрытием).

Первый полномасштабный прототип установки для промышленной литографии с использованием жесткого ультрафиолета был создан еще в 2001 году. Было показано, что с помощью жесткого ультрафиолетового излучения возможно создание процессоров, работающих в 10 раз быстрее существующих и имеющих в десять раз больше транзисторов на единице площади, и увеличение емкости микросхем памяти в 40 раз.

Источник: по материалам Space Daily.