Ученые вплотную подошли к созданию спинтронных полупроводников

Исследователи Университета Буффало сообщили о создании новых полупроводниковых материалов, которые расширяют поле спинтроников - материалов, которые используют не только заряд электрона, но и его спин - а также их применение в устройствах, которое кардинально изменит электронику и вычислительную технику.

Спинтроники - относительно новая, но достаточно перспективная область, в центре внимания которой - применение спинов электронов. Исследователи университета сообщили, что сейчас они сосредоточили внимание на построении спинтронных устройств, которые могут использовать преимущество свойств полупроводимости некоторых материалов для функционирования при комнатных температурах. По словам профессора физики из Буффало Хонг Люо(Hong Luo),почти все изучаемые в лабораториях университета приборы могут получить коммерческое использование, как, например, более совершенные компьютеры или телекоммуникационные устройства.

Исследователи отметили, что использованные сплавы слоев галлия, сурьмы и марганца(GaSb/Mn) толщиной в несколько атомов, это уже хорошо изученные полупроводники, широко применяемые в существующих электронных системах. Как отметил профессор физики Брюс МакКомби(Bruce McCombe), благодаря этим материалам вскоре появится возможность создавать устройства, которые смогут обрабатывать данные, используя бесчисленное множество вариантов значений спинов электронов. Как сообщил г-н МакКомби изданию NewsFactor.com, отдельные части элементарного устройства, работающего при комнатной температуре, появятся уже приблизительно через год. При этом он добавил, что использование спинтроников в пользовательских и промышленных системах начнется не ранее, чем через 3-5 лет. Официальная публикация по новым материалам появится в выпуске Applied Physics Letters 27 мая.

Называя новые материалы "большим шагом в изготовлении подходящих материалов" для спинтроников, г-н Люо отметил, что одним из главных успехов является получение полупроводниковых материалов, способных работать при комнатных температурах. Устройство, которое может быть создано на основе имеющихся результатов, может включать в себя спинтронные транзисторы и спинтронные светодиоды. Поскольку исследования по большей части находятся в стадии разработки материалов, многие возможности будущих спинтронных устройств еще неизвестны ученым. Исследователи, для поддержки работы которых был выделен $10-миллионный грант от американского Агентства оборонных исследовательских проектов (Defense Advanced Research Projects Agency - DARPA) в рамках программы SpinS, подчеркнули, что их целью является продемонстрировать, что разработка полупроводниковых спинтронных устройств, включая образец магнитного полупроводника, не за горами.

Полупроводники, разработанные в Буффало, впервые продемонстрировали явление гистерезиса - особенности ферромагнетиков, когда эффект магнетизма не исчезает при отключении магнитного поля - при комнатной температуре. По мнению г-на МакКомби, спинтроники позволили бы хранить и обрабатывать данные в одной и той же среде. Это может быть очень важно для нынешней электроники, где постоянное хранение данных требует разделения магнитных носителей и полупроводников, занимающихся обработкой информации. Если исследования будут успешны, отметил г-н МакКомби, они могут привести к созданию устройств на основе полупроводниковой магнитной памяти случайного доступа (MRAM) с активной логикой на одном чипе.

Более подробно читайте в разделе "Главные новости дня" .. >>

Источник:
по материалам сайта NewsFactor.com.