Ученые разработали модуль памяти нового поколения

Международная группа ученых совершила прорыв в области разработок модулей памяти нового поколения, имеющих лучшие показатели по сравнению с образцами, производимыми сегодня по 60-нанометровой технологии.

Группа исследователей при содействии Korea Advanced Institute of Science и  профессора технических наук Кима Санг-оука (Kim Sang-ouk) разработала синтетический метод создания периодических структур на наноуровне, что обеспечит прорыв в производстве полупроводников.

Обычный метод производства модулей памяти класса top-end, известный как фотолитография, на сегодняшний день достиг своего предела.

По словам профессора, теоретически с помощью новой технологии можно создать полупроводник размером 10 нм.

В настоящее время Корея в лице таких компаний как Samsung Electronics и  Hynix Semiconductors вырвалась вперед в соперничестве по созданию микропроцессоров со сверхмалыми схемами.

В прошлом году Samsung удивил мир модулем памяти flash memory, основанным на схемах с минимальным размером в 60 нм.

По словам ученых, не исключено сотрудничество с Samsung в разработке модулей памяти на основе схем толщиной менее 50 нм.

Новая технология уже запатентована на международном уровне. Информация об открытии корейских ученых будет опубликована в следующем выпуске американского журнала Science.