Ученые изобрели структуру самого быстрого транзистора

Новая структура транзистора, изобретенная учеными Иллинойского университета, помогла преодолеть барьер в 600 ГГц, что делает возможным достижение частоты в терагерц для проведения высокоскоростных вычислений и эффективной передачи данных, сообщает Physorg.

Новое устройство на основе фосфида индия и арсенида индиума галлия имеет композиционный ступенчатый коллектор, базу и эмиттер, которые позволяют уменьшить время перехода и увеличить плотность тока. Ученые с помощью псевдоморфного биполярного транзистора с гетеропереходом (pseudomorphic heterojunction bipolar transistor) продемонстрировали скорость в 604  ГГц — самую быструю операционную скорость на сегодняшний день.

Новое устройство разработали профессор и исследователь Милтон Фенг (Milton Feng) и студент-выпускник Валид Хафез (Walid Hafez) в лаборатории микро- и нанотехнологий Иллинойского университета.

Быстрые транзисторы способствуют созданию более быстрых компьютеров, более гибких и защищенных систем беспроводной связи и более эффективных электронных систем военного назначения.