Транзистор 1 ТГц: новый рекорд

Как сообщает Space Daily со ссылкой на информационное сообщение компании Northrop Grumman, ее специалисты разработали самый "быстрый" в мире транзистор, способный работать на частотах до 1 тыс. ГГц (1 ТГц).

Транзистор создан по технологии High Electron Mobility Transistor на базе фосфида индия (InP HEMT). Транзистор предназначен для использования в военной, а в перспективе - и гражданской технике. 1 ГГц транзистор является очередным продуктом в линейке высокочастотных транзисторов, производимых компанией.

Более подробная информация о новом высокочастотном транзисторе будет представлена на портале Исследования и разработки – R&D.CNews.