STMicroelectronics представил новую технологию

STMicroelectronics, третий по величине мировой производитель полупроводниковой продукции, раскрыл детали технологии, позволяющей световым эмиттерам на основе кремния сравняться в эффективности с традиционными светоизлучающими составными полупроводниковыми материалами типа арсенида галлия (GaAs). Для новой технологии возможно множество применений, когда оптические и электрические свойства комбинируются в одном кремниевом чипе.

Материал, используемый в новой разработке компании, представляет собой слои кремния, обогащенного кислородом, в которые внедрены ионы редкоземельных элементов. При этом полученные характеристики приблизительно в 100 раз лучше, чем получаемые прежде у кремния. Частота светоиспускания зависит от вида применяемого редкоземельного элемента, и компания уже запатентовала ключевые моменты технологии внедрения редкоземельных ионов в кремний.

Инновационная методика была разработана исследователями Corporate Technology R&D Organization компании STMicroelectronics, которая специализируется на обзоре и внедрении в производство технологических результатов взаимодействия микроэлектроники, физики, химии и биологии. Одним из первых применений новой технологии станет построение управляющего устройства питания, в котором схемы управления будут электрически изолированы от тока, переключающего транзисторы.

Компания также запатентовала новую структуру, в которой две схемы, расположенные на одном чипе, но электрически изолированные друг от друга с помощью диоксида кремния, связываются посредством оптических сигналов, используя встроенные кремниевые световые излучатели и датчики. Такая структура может использоваться во множестве важных устройств, в том числе в источниках питания, транзисторных реле и других приложениях, где на схемы питания подается гораздо более высокое напряжение, чем на схемы управления. До конца этого года должен появится первый опытный образец подобной структуры.

Источник: по материалам сайта STMicroelectronics.