Создана ключевая технология оптического транзистора

Ученые и инженеры из Венского технического университета смогли управлять поляризацией терагерцевого светового луча, что является основой для создания перспективных оптических микросхем.

Вместо электротока оптический транзистор использует терагерцевый луч света с длиной волны порядка 1 мм

Ученым удалось изменить поляризацию светового луча (направление колебаний света) с помощью специального материала и электрического тока. Эту лабораторную методику потенциально можно масштабировать и применять в промышленном производстве, что открывает путь для массового производства быстродействующей электроники, которая управляется светом, а не электротоком. Кроме того, управление терагерцевым излучением может пригодиться не только для производства оптических компьютеров, но и, например, для изготовления сканеров и медицинских приборов.

Основная часть нового оптического транзистора – ультратонкая пленка из теллурида ртути

Свет может колебаться в разные стороны, то есть иметь разную поляризацию. Это явление давно известно и широко используется, например, в 3D-телевидении. Ученым из Австрии впервые удалось управлять поляризацией света на микроуровне. Электрическое поле, приложенное к ультратонкому слою из теллурида, ртути позволяет произвольно менять поляризацию света. При этом применялось терагерцевое световое излучение, то есть оптический чип может работать с гораздо более высокой частотой, чем нынешние процессоры с их 3-5 ГГц.

Одним из достоинств австрийского изобретения является очень низкое энергопотребление. Для изменения поляризации терагерцевого светового излучения с помощью электрического поля требуется напряжение менее 1В.

Таким образом, ученые и инженеры из Венского технического университета создали технологию, которая может совершить революцию в электронной промышленности. Конечно, современные технологии производства и принципы работы электроники укоренились очень прочно, но, будем надеяться, что преимущества оптических транзисторов в конце концов перевесят все издержки реформирования производства.