Создан светоизлучающий диод на основе кремния

Коллектив ученых под руководством Кевина Хоумвуда (Kevin Homewood) из университета графства Суррей в Великобритании опубликовал в журнале Nature сообщение о создании светоизлучающего диода (LED) на основе кремния, который по эффективности преобразования электричества в свет приближается к показателям LED на основе других полупроводниковых материалов (арсенида или фосфида галлия, а также тройных соединений).

На основе этой разработки можно будет преодолеть еще один барьер на пути миниатюризации электронных приборов, поскольку до сих пор для преобразования сигналов из электрических в оптические требовалось иметь два отдельных устройства - светоизлучающий диод и электронную схему. Оптоэлектроника по существу является попыткой комбинирования устройств двух разных типов для тех или иных задач. Теперь появится возможность совмещения функций в едином устройстве, где в одной микросхеме может осуществляться преобразование электрических сигналов и генерация света. Такие устройства найдут широкое применение в системах оптических телекоммуникаций.

Хоумвуд и его коллеги нашли способ удержать носители заряда в кремнии. Для этого кремниевую пластину облучали атомами бора, создавая тем самым дефекты в структуре кристалла кремния. Затем облученный кристалл нагревали до температуры около 1000 градусов, при этом линейные дефекты превращались в замкнутые петлеобразные структуры, способные служить ловушками для носителей зарядов, что и приводит к генерации света.