Исследователями из
Гарвардского университета создан самый лучший на сегодняшний день нанотранзистор на основе нанострун, сообщает
Nanotechweb. Устройство состоит из германиево/кремниевого ядра и кремниевых нанострун. По мнению экспертов, это самый совершенный полевой транзистор, который
когда-либо был создан.
«Мы доказали, что наш Ge/Si нанострунный FET (полевой транзистор) быстрее в 3–4 раза, чем современные кремниевые CMOS, — комментирует открытие доктор Чарльз Либер (Charles Lieber). — Также наш нанотранзистор может посоревноваться в области быстродействия с обычными плоскими полевыми FET. Мы надеемся, что вскоре в микроэлектронной индустрии появится новый стандарт FET-устройств — нанострунный Ge/Si FET. Создание такого устройства стало возможным в основном благодаря проведенным ранее фундаментальным исследованиям в области наноэлектроники».
Д-р Либер и его коллеги создали структуру «ядро-нити» в Ge/Si-наноструктуре с надежными омическими контактами и высокой мобильностью носителей зарядов.
Как было установлено, время переключения нанотранзистора приближается к аналогичным показателям у транзистора из нанотрубок. И, естественно, оно выше, чем у традиционных MOSFET-устройств.
Либер убежден в том, что нанотранзистор будет востребован производителями чипов для дальнейшего использования в скоростной логике нового поколения. Не секрет, что традиционная CMOS-технология уже не может обеспечить нужного быстродействия для ее использования в микропроцессорах будущего.
Также д-р Либер уточнил, что нанотранзистор технологически совместим с логическими схемами на прозрачных и гибких основах — пластике, органических пленках и т.п.
Сейчас исследователи планируют уменьшить размер нанотранзистора для того, чтобы его можно было использовать в интегральных схемах.
Д-р Либер и его команда разрабатывают технологию массового производства подобных устройств.
Поделиться