Sharp представил высокоскоростную комбинированную память для мобильников

Компания Sharp представила высокоскоростную память flash/SCRAM для мобильных телефонов третьего поколения.

Пропускная способность модуля LRS1887 составляет 320 МБ/сек, что более чем в 3 раза выше по сравнению с предыдущими моделями. Sharp начнет массовое производство данного вида памяти уже в июле.