Сделан первый шаг к созданию высокоскоростного нанотранзистора

Ученые из университета Нотр-Дам, США, предложили новый метод, который ускорит передвижение электронов в полупроводниках.

Суть метода заключается в нанесении на проводящую поверхность нанометрового слоя изолятора. Этот нехитрый способ позволит уменьшить эффект рассеивания электронов из-за примесей и неоднородностей в полупроводнике и таким образом увеличить скорость их распространения.

Как сообщает Nanotechweb, метод полностью разработан и исследован благодаря математическому моделированию, проведенному учеными для случая кремниевых полупроводников. Как показали результаты математического моделирования, нанопокрытие позволит создавать транзисторы, работающие на высоких частотах.

Ученые сообщают, что обработка материалов с помощью нанослоя не требует каких-либо изменений в традиционном производстве микроэлектронных компонентов. После успешных результатов моделирования ученые планируют опробовать новый метод практически, создав высокоскоростной нано-транзистор.