Samsung Electronics представил самую быструю память DDR3 SRAM

Samsung Electronics представил 29 января разработку, являющуюся, по словам представителей компании, самой быстрой DDR3 SRAM в мире.

Согласно сообщению разработчиков, 72 -мегабитный чип использует 90-нанометровые техпроцессы и работает на 1,5 Гб/сек при потребляемом напряжении 1,2 В. Создание ячейки размером менее миллионной доли квадратного метра потребовало использования технологического процесса традиционной криптон-фторидной лазерной литографии.

Образцы ячеек с емкостью 32 Мб уже доступны, а массовое производство памяти 72 Мб DDR3 SRAM ожидается во второй половине этого года. Новый продукт предназначен для высокоскоростных серверов и рабочих станций с большим объемом оперативной памяти.

Источник: по материалам сайта DigiTimes.