Разработки РФЯЦ-ВНИИЭФ вошли в сотню лучших изобретений России 2008 года

Две разработки РФЯЦ-ВНИИЭФ вошли в сотню лучших изобретений России 2008 года. Сотрудникам ядерного центра присуждены дипломы Федеральной службы по интеллектуальной собственности, патентам и товарным знакам:

• за изобретение «Штамп для равноканального углового прессования», патент РФ №2352419. Авторы: Коршунов А.И., Голубев П.И.;
• за изобретение «Устройство проводки пучка заряженных частиц», патент РФ №2356193. Авторы: Куропаткин Ю.П., Зенков Д.И., Ткачук А.А., Шамро О.А., Нижегородцев В.И.

В ежегодном отборе участвовало тридцать тысяч патентов, выданных в России в 2008 году, сообщает пресс-служба РФЯЦ-ВНИИЭФ.