Разработана гибкая органическая флэш-память

Междунвродная исследовательская группа под руководством Такао Сомея (Takao Someya) из университета Токио разработала конструкцию флэш-памяти на органических компонентах. Она предназначена для использования в массивах сенсоров, размещаемых на гибкой подложке.

Новая память конструктивно представляет собой массив транзисторов из органических материалов, встроенный в гибридный диэлектрик и может выполняться на гибких пластиковых субстратах. Новая память отличается низким (менее 6 в) напряжением записи и стирания данных и выдерживает не менее 1000 циклов перезаписи.

Разработчики показали возможность создания на базе новой флэш-памяти, встроенной в лист упругой резины, массива датчиков давления произвольной размерности, позволяющего фиксировать данные о механическом воздействии в виде растрового изображения и хранить этот "снимок" длительное время.

Более подробная информация о новом открытии будет представлена на портале Исследования и разработки – R&D.CNews.