Разработан высокоэффективный полупроводниковый лазер

Корпорация Sony объявила о создании красного (длина волны 635 нм) полупроводникового лазерного массива, предназначенного для использования в светильниках и системах освещения. Его удельная яркость в 1,6 раза выше, чем у других аналогичных лазеров.

При выходной световой мощности 7,2 Вт эффективность преобразования электрической энергии в световую составляет 23%, рабочая температура полупроводника равна 25 градусам Цельсия.

Более подробная информация о новом лазере будет представлена на портале Исследования и разработки – R&D.CNews.