Разработан новый метод производства графена

Как сообщает пресс-служба Корнельского университета (США, г. Итака, штат Нью-Йорк), разработана относительно простая технолоия создания графеновых электронных устройств. Работа Transfer-Free Batch Fabrication of Single Layer Graphene Transistors опубликована в журнале Nano Letters.

Графен создаётся непосредственно на кремниевой подложке. Новая технология позволит создавать в промышленных масштабах графеновые электронные устройства с различной структурой, топологией и количеством слоёв.

Для формирования графенового слоя используется кремниевая подложка с нанесённой на него тонкоплёночным слоем меди. По завершении формирования слоя графена нужной топологии методом фотолитографии медная прослойка между кремниевой подложкой и графеном удаляется химическим способом. При этом графеновый слой "ложится" непосредственно на кремний.