Разработан некриогенный ИК-нанолазер

Ученые из университета Иокогамы в Японии разработали высокоэффективный лазер, который способен генерировать излучение ближнего инфракрасного диапазона в непрерывном режиме при комнатной температуре.

Лазер изготовлен из полупроводникового материала – галлия индия арсенид фосфата (GaInAsP). Прибор имеет толщину всего несколько микрон. Основу конструкции лазера составляет фотонный кристалл, который представляет собой полупроводник с равномерно нанесенными на него мельчайшими отверстиями.

При нанесении отверстий разработчики специально вносили дефекты – нерегулярности – в кристаллическую структуру, слегка сдвигая положение отверстий. Таким образом ученые добились того, что прибор испускает излучение в очень узком диапазоне длин волн.

Благодаря своим миниатюрным размерам новый лазер может использоваться для создания оптических интегральных схем и других оптических приборов, сообщает EurekAlert.