Раскрыты причины 1/f-шума в полупроводниках

Ученым из России, Соединенных штатов и Норвегии удалось установить причины возникновения универсальной 1/f-зависимости в спектре мощности шумов полупроводниковых электронных приборов. Результаты их исследования могут привести к созданию более чувствительных полупроводниковых датчиков и детекторов.

Более подробная информация об открытии будет представлена на портале Исследования и разработки – R&D.CNews.