Память из нанонитей бьет рекорды по скорости записи

Ученые из университета Лунда, Швеция, разработали новый элемент памяти, сообщает Nanotechweb. Он представляет собой ряд «островков», соединенных между собой нанострунами, которые содержат девять квантовых точек арсенида индия (InAs), разделенных тонким слоем фосфида индия (InP).

Диаметр нанонитей — 40–50 нанометров. Благодаря этому квантовые точки InAs размерами 17 нанометров, разделенные 3–4-нанометровым InP-барьером, удалось поместить внутри нитей. На их концах расположились 200-нанометровые отрезки InAs, соединенные с 70-нанометровыми участками InP-барьеров. Эти наноструктуры, по сути дела, являются простым нанотранзистором.

Устройство работает не только при комнатных температурах, но и при достаточно низких -120^оC. Время, необходимое на один цикл записи, — 15 наносекунд.

По словам шведских ученых, новая нанопамять может работать в 100 раз быстрее современной флэш-памяти.